Nanotechnologia

Nowy zautomatyzowany próżniowy system łączenia płytek

600px-12-inch_silicon_waferEV Group (EVG), wiodący dostawca sprzętu do litografii i łączenia płytek w nanotechnologii, systemach mikroelektronicznych (MEMS) i w branży półprzewodników przedstawił swój nowy produkt – EVG 580 ComBond – najnowszy próżniowy system łączenia płytek, umożliwiający tworzenie beztlenowych, kowalencyjnych połączeń przewodzących elektryczność w temperaturze pokojowej.

System ten, zbudowany na platformie modułowej, aby spełnić wymagania produkcji wielkoseryjnej, jest idealny przy tworzeniu połączeń między różnymi materiałami podłoża, co umożliwia ich wysoką wydajność i całkiem nowe zastosowania, np.:

a)      Wielozłączowe ogniwa słoneczne

b)      Fotonika krzemowa

c)       Systemy MEMS

d)      Urządzenia zasilające

e)      Związki półprzewodników i inne zaawansowane podłoża dla zastosowań w urządzeniach „Beyond CMOS”, np. w tranzystorach wysokiej mobilności.

Fabrice Geiger, przedstawiciel VP Silicon Technologies Division we francuskim instytucie CEA-Leti wyjaśnia: „Podczas ostatniej instalacji i fazy testów, system EVG 580 ComBond wykazał zdolność do tworzenia znakomitych wiązań kowalencyjnych w temperaturze pokojowej. Z niecierpliwością czekamy na współpracę z EVG i wprowadzenie systemu EVG 580 ComBond aby rozwinąć naszą aktywność na kilku kluczowych obszarach”.

„System EVG 580 ComBond zarządza kluczowymi etapami przygotowania nawierzchni potrzebnymi, aby zapewnić beztlenowe i wolne od zanieczyszczeń wiązania w temperaturze pokojowej”, mówi Paul Lindner, dyrektor działu technologii EVG. „Dzięki tej przełomowej technologii, możemy połączyć ze sobą prawie wszystko, tworząc nowe kombinacje materiałów w formie płytek, co pozwala naszym klientom tworzenie nowych urządzeń i ich masową produkcję, od fotoniki silikonowej i  najnowszego sprzętu telekomunikacyjnych, aż do zaawansowanych urządzeń zasilających umożliwiających dłuższe działanie pojazdów elektrycznych”.

Łączenie materiałów o różnych właściwościach, np. podłoża krzemowego z azotkiem galu, arsenkiem galu czy fosforkiem indu może zwiększyć wydajność urządzeń, jednak połączenie ich tradycyjną metodą wzrostu epitaksjalnego prowadzi do defektu dyslokacji kryształów przez różnice w stałej sieci krystalicznej i współczynniku rozszerzalności cieplnej.

Efekt ten może zostać złagodzony poprzez tworzenie materiałów oddzielnie na optymizowanych podłożach, a następnie połączeniu ich za pomocą systemu łączenia płytek. Tworzenie połączeń kowalencyjnych w temperaturze pokojowej jest idealnym rozwiązaniem, gdyż eliminuje potrzebę stosowania procesu wyżarzania, co stwarzało dodatkowy kłopot przez wysoką temperaturę powodującą różnice we współczynniku rozszerzalności cieplnej.

 

Źródło artykułu

Źródło grafiki

Podobne artykuły

Z przyjemnością informujemy, że firma EV Group została nowym Honorowym Mecenasem Fundacji NANONET! [English below] Firma jest też członkiem Śląskiego Klastra Nano. EV Group (EVG) jest wiodącym producentem sprzętu i rozwiązań procesowych...