krzem

Nanokryształy InAs we wnętrzu nanodrutów Si

Naukowcy z Helmholtz- Zentrum Dresden- Rossendorf, Uniwersytetu Technicznego w Wiedniu oraz Uniwersytetu Marii Curie-Skłodowskiej w Lublinie opracowali nową metodę wbudowywania kryształów półprzewodnikowych grup III-V w nanodruty krzemowe. Sposób ten jest obiecujący pod względem jego wykorzystania w technologiach wytwarzania cyfrowych układów scalonych CMOS (Complementary Metal-Oxide Semiconductor). Heterostruktury z nanodrutów krzemowych z wbudowanymi segmentami związków półprzewodnikowych III-V są interesujące w zastosowaniach w optoelektronice tj. diodach elektroluminescencyjnych, fotodetektorach, tranzystorach FET. Związki […]

więcej